S25HS01GTFAMHM010

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S25HS01GTFAMHM010
商品编号: C6998449
商品封装: SOIC-16-300mil
包装方式: 托盘
商品毛重: 1.397克(g)

商品参数

商品特性

45纳米MIRRORBIT技术，每个存储阵列单元存储两个数据位。
扇区架构选项：统一架构、混合配置1、混合配置2。
页编程缓冲区为256或512字节。
OTP安全硅阵列为1024字节（32 × 32字节）。
四线SPI：支持1S-1S-4S、1S-4S-4S、1S-4D-4D、4S-4S-4S、4S-4D-4D协议；SDR选项运行速度高达83 MBps（166 MHz时钟速度）；DDR选项运行速度高达102 MBps（102 MHz时钟速度）。
双线SPI：支持1S-2S-2S协议；SDR选项运行速度高达41.5 MBps（166 MHz时钟速度）。
SPI：支持1S-1S-1S协议；SDR选项运行速度高达21 MBps（166 MHz时钟速度）。
功能安全特性：符合ISO26262 ASIL B并准备ASIL D的NOR Flash功能安全；耐久性Flex架构提供高耐久性和长保留分区；数据完整性CRC检测存储阵列错误；SafeBoot报告设备初始化失败，检测配置损坏，并提供恢复选项；内置纠错码（ECC）纠正存储阵列数据的单比特错误并检测双比特错误（SECDED）；扇区擦除状态指示器，用于擦除期间电源丢失。
保护特性：传统块保护用于存储阵列和设备配置；基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护。
AutoBoot实现上电后立即访问存储阵列。
硬件复位通过JEDEC串行闪存复位信令协议/独立RESET#引脚/DQ3_RESET#引脚。
串行闪存可发现参数（SFDP）描述设备功能和特性。
设备识别、制造商识别和识别。
数据完整性：256Mb设备主阵列最小640,000次编程-擦除周期；512Mb设备主阵列最小1,280,000次编程-擦除周期；1Gb设备主阵列最小2,560,000次编程-擦除周期；所有设备4KB扇区最小300,000次编程-擦除周期；最小25年数据保留。
电源电压：1.7 V 到 2.0 V（HS-T）；2.7 V 到 3.6 V（HL-T）。
等级/温度范围：工业级（-40°C 到 +85°C）；工业增强级（-40°C 到 +105°C）；汽车级AEC-Q100等级3（-40°C 到 +85°C）；等级2（-40°C 到 +105°C）；等级1（-40°C 到 +125°C）。
封装：256MB和512MB设备采用16引脚SOIC（300密耳）- SO3016、24球BGA 6 × 8 mm、16引脚SOIC（300密耳）、8接触WSON 6 × 8 mm封装；1GB设备采用16引脚SOIC（300密耳）- SO3016、24球BGA 8 × 8 mm、16引脚SOIC（300密耳）封装。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	1Gbit

	属性	参数值
	工作电压	1.7V~2V
	工作温度	-40℃~+125℃
	功能特性	ECC纠错；上电复位