S28HS01GTGZBHI033

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S28HS01GTGZBHI033
商品编号: C6998487
商品封装: FBGA-24(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.166克(g)

商品参数

商品特性

采用英飞凌45纳米MIRRORBIT技术，可在每个存储阵列单元中存储两个数据位
提供扇区架构选项：统一架构（地址空间由全部256KB扇区组成）和混合架构（配置1：地址空间包含32个4KB扇区，位于顶部或底部，其余扇区均为256KB；配置2：地址空间包含32个4KB扇区，平均分布在顶部和底部，其余扇区均为256KB）
具有256或512字节的页编程缓冲区
提供1024字节（32 × 32字节）的OTP安全硅阵列
支持八进制接口（8S-8S-8S, 8D-8D-8D）
符合JEDEC扩展串行外设接口标准
SDR选项运行速率高达200 MBps（200 MHz时钟速度）
DDR选项运行速率高达400 MBps（200 MHz时钟速度）
支持数据选通信号，以简化高速系统中的读取数据捕获
具备功能安全特性：符合ISO26262 ASIL B标准并支持ASIL D，采用英飞凌Endurance Flex架构提供高耐久性和长保持分区，接口CRC可检测主机控制器与闪存设备间通信接口的错误，数据完整性CRC可检测存储阵列中的错误，SafeBoot可报告设备初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项，内置纠错码可纠正存储阵列数据的单位错误并检测双位错误，提供擦除期间断电的扇区擦除状态指示器
具备保护特性：针对存储阵列和设备配置的旧式块保护，以及针对单个存储阵列扇区的高级扇区保护
支持上电后立即访问存储阵列的AutoBoot功能
支持通过CS#信令方法或独立RESET#引脚进行硬件复位
提供描述设备功能和特性的串行闪存可发现参数
支持设备识别、制造商识别和识别
512 Mb器件主阵列的最小擦写周期为1,280,000次
1Gb器件主阵列的最小擦写周期为2,560,000次
所有器件的4KB扇区最小擦写周期为300,000次
最小数据保持时间为25年
工作电压范围：1.7 V ~ 2.0 V（HS-T），2.7 V ~ 3.6 V（HL-T）
工业级温度范围：-40℃ ~ +85℃
工业增强级温度范围：-40℃ ~ +105℃
汽车级AEC-Q100 3级温度范围：-40℃ ~ +85℃
汽车级AEC-Q100 2级温度范围：-40℃ ~ +105℃
汽车级AEC-Q100 1级温度范围：-40℃ ~ +125℃
封装：512 Mb器件采用24球BGA，尺寸6 × 8 mm；1Gb器件采用24球BGA，尺寸8 × 8 mm

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	1Gbit
	工作电压	1.7V~2V

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	1.7ms
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	ECC纠错；上电复位