S29GL128S90DHI010
GL-S MirrorBit EclipseM闪存非易失性存储家族
- 描述
- MirrorBit Eclipse闪存产品采用65 nm工艺技术制造。这些器件提供最快达15 ns的快速页面访问时间,相应的随机访问时间最快达90 ns。它们具有一个写缓冲区,允许在一次操作中最多编程256字/512字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
- 商品型号
- S29GL128S90DHI010
- 商品编号
- C6998506
- 商品封装
- FBGA-64(9x9)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.2175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 写周期时间(Tw) | 60ns | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
