S29GL01GS12DAE020
S29GL01GS12DAE020
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S29GL01GS12DAE020
- 商品编号
- C6998495
- 商品封装
- FBGA-64(9x9)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.741克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 60ns | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位 |
商品概述
英飞凌S29GL01G/512/256/128S是采用65纳米制程技术制造的MIRRORBIT™闪存产品。这些器件的页访问时间最快可达15纳秒，随机访问时间为100纳秒。它们具有写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，与标准编程算法相比，有效编程时间更快。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
商品特性
- 具有通用I/O的3.0V CMOS内核
- 65纳米MIRRORBIT™技术
- 读写/编程/擦除采用单电源（VCC）（2.7V至3.6V）
- 通用I/O特性
- 宽I/O电压范围（VIO）：1.65V至VCC
- x16数据总线
- 异步32字节页读取
- 512字节编程缓冲区
- 以页为倍数进行编程，最大可达512字节
- 单字和同一字多次编程选项
- 自动错误检查和纠正（ECC） – 内部硬件ECC，可纠正单比特错误
- 扇区擦除
- 统一的128KB扇区
- 编程和擦除操作的暂停和恢复命令
- 状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法来确定器件状态
- 高级扇区保护（ASP）
- 每个扇区的易失性和非易失性保护方法
- 独立的1024字节一次性可编程（OTP）阵列，有两个可锁定区域
- 通用闪存接口（CFI）参数表
- 100次编程和擦除循环
- 20年数据保留
- 封装选项：
- 56引脚TSOP
- 64球LAA加固BGA，13mm×11mm×1.4mm
- 64球LAE加固BGA，9mm×9mm×1.4mm