Name: Infineon(英飞凌) S26HL01GTFPBHV023
Brand: Infineon(英飞凌)
SKU: C6998466
Price: 113.8 CNY
Availability: OutOfStock

采用英飞凌45纳米MirrorBit技术，每个存储阵列单元存储两个数据位
扇区架构选项：统一型（地址空间由全部256KB扇区组成）；混合型（配置1：地址空间包含32个4KB扇区，位于顶部或底部，其余扇区均为256KB；配置2：地址空间包含32个4KB扇区，平均分布在顶部和底部，其余扇区均为256KB）
页编程缓冲区为256或512字节
1024字节（32×32字节）的一次性可编程安全硅区域
支持HYPERBUS接口
兼容JEDEC扩展SPI标准
DDR选项运行速率高达400MBps（200MHz时钟速度）
支持数据选通信号，以简化高速系统中的读取数据捕获
支持传统单线SPI接口
SDR选项运行速率高达21MBps（166MHz时钟速度）
支持默认从传统SPI或HYPERBUS接口启动
功能安全特性符合ISO26262 ASIL B等级并支持ASIL D等级
英飞凌Endurance Flex架构提供高耐久性和长数据保持分区
接口CRC检测主机控制器与闪存设备之间通信接口的错误
数据完整性CRC检测存储阵列中的错误
SafeBoot报告设备初始化失败，检测配置损坏，并提供恢复选项
内置错误校正码，可校正存储阵列数据的单比特错误并检测双比特错误
扇区擦除状态指示器，用于指示擦除过程中的电源中断
高级扇区保护，提供基于单个存储阵列扇区的保护
AutoBoot支持上电后立即访问存储阵列
支持通过CS#信号方法以及独立的RESET#引脚进行硬件复位
串行闪存可发现参数，描述设备功能和特性
设备识别、制造商识别和识别
256Mb器件主阵列最小可进行640,000次编程-擦除循环
512Mb器件主阵列最小可进行1,280,000次编程-擦除循环
1Gb器件主阵列最小可进行2,560,000次编程-擦除循环
所有器件的4KB扇区最小可进行300,000次编程-擦除循环
最小25年数据保持期
工作电压范围：1.7V至2.0V（HS-T）；2.7V至3.6V（HL-T）
工业级温度范围：-40℃ to +85℃
工业增强级温度范围：-40℃ to +105℃
汽车级AEC-Q100 3级温度范围：-40℃ to +85℃
汽车级AEC-Q100 2级温度范围：-40℃ to +105℃
汽车级AEC-Q100 1级温度范围：-40℃ to +125℃
256Mb和512Mb器件采用24球BGA封装，尺寸6×8毫米
1Gb器件采用24球BGA封装，尺寸8×8毫米

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	1Gbit
	时钟频率(fc)	166MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	14uA
	擦写寿命	2560000次

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	1.7ms
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	25年
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；ECC纠错；上电复位

S26HL01GTFPBHV023

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商品特性

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