S26HS01GTGABHA030
S26HS01GTGABHA030
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S26HS01GTGABHA030
- 商品编号
- C6998472
- 商品封装
- FBGA-24(8x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 1.7ms | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | ECC纠错;上电复位 |
商品概述
该系列产品是高速CMOS NOR闪存器件,符合JEDEC JESD251扩展SPI规范。设计用于功能安全,根据ISO 26262标准开发,以实现ASIL-B合规和ASIL-D就绪。支持HyperBus接口和传统SPI接口。两种接口均以串行方式传输事务,减少了接口连接信号的数量。SPI支持单倍数据速率,而HyperBus支持双倍数据速率。HyperBus接口每个时钟周期在数据信号上传输两个数据字节。读取或编程/写入访问由一系列16位宽、一个时钟周期的数据传输组成。读取和编程/写入操作是面向突发传输的。读取事务可以指定使用回绕或线性突发模式。在回绕操作期间,访问从选定位置开始,并在配置数量的位置中以组回绕序列继续。在线性操作期间,访问从选定位置开始,并以顺序方式继续,直到读取操作终止。写入事务传输一个或多个16位值。每个随机读取访问一个32字节的行。
商品特性
- 采用赛普拉斯45纳米MirrorBit®技术,每个存储阵列单元存储两位数据
- 有统一和混合两种扇区架构选项
- 具有256或512字节的页面编程缓冲区
- 有1024字节(32×32字节)的一次性可编程安全硅区域(SSR)
- 支持HyperBus™接口和传统(x1)SPI,符合JEDEC扩展SPI(JESD251)规范
- 功能安全方面,是行业首个符合ISO26262 ASIL B标准且为ASIL D做好准备的NOR闪存
- EnduraFlex™架构提供高耐久性和长保留分区
- 接口CRC检测主机控制器和Semper™闪存设备之间通信接口的错误
- 数据完整性CRC检测存储阵列中的错误
- SafeBoot报告设备初始化失败,检测配置损坏并提供恢复选项
- 内置纠错码(ECC)纠正存储阵列数据中的单比特错误并检测双比特错误(SECDED)
- 有扇区擦除状态指示器,用于擦除期间的掉电情况
- 提供基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护
- AutoBoot使上电后可立即访问存储阵列
- 通过CS#信号方法(JEDEC)和单个RESET#引脚进行硬件复位
- 具有描述设备功能和特性的串行闪存可发现参数(SFDP)
- 具备设备标识、制造商标识和唯一标识
- 不同容量设备的主阵列有不同的最小编程 - 擦除周期数
- 4 KB扇区的最小编程 - 擦除周期数为300,000次
- 数据保留时间至少25年
- 供电电压为1.7 - 2.0 V(HS - T)和2.7 - 3.6 V(HL - T)
- 有工业级(-40°C至+85°C)、工业增强级(-40°C至+105°C)、汽车AEC - Q100 3级(-40°C至+85°C)、汽车AEC - Q100 2级(-40°C至+105°C)、汽车AEC - Q100 1级(-40°C至+125°C)等温度范围
- 256 Mb和512 Mb采用24球BGA 6×8 mm封装,1 Gb采用24球BGA 8×8 mm封装
- S26HS02GTFPBHB053
- S26HS512TGABHB003
- S28HL01GTFPBHV030
- S28HL512TFPBHB010
- S28HS01GTFPBHB033
- S28HS01GTFPBHI030
- S28HS01GTGZBHI033
- S29GL01GS12DAE020
- S-8337ABHC-P8T1G
- S-8337ACAB-T8T1G
- S-8337ACAC-P8T1G
- S-8337ACFB-T8T1G
- S-8337ACGA-T8T1G
- S-8337ACGB-T8T1G
- S-8337ACHB-P8T1G
- S-8337ACHC-T8T1G
- S-8337ACIC-T8T1G
- S29AL008J55TFAR20
- S-8338AADA-T8T1G
- S-8338AAFA-T8T1G
- S-8338ABCC-T8T1G

