商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 265mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用最新沟槽9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，采用坚固的LFPAK56封装。该产品经过全面设计和认证，符合AEC - Q101要求，具备高性能和耐用性。
商品特性
- 直接覆铜陶瓷基板(DCB)上的硅芯片
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
- 快速本征整流器
- 雪崩额定
- 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
-开关模式和谐振模式电源-DC-DC转换器-激光驱动器-交流和直流电机驱动器-机器人技术和伺服控制