APT19F100J
1个N沟道 耐压:1kV 电流:20A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT19F100J
- 商品编号
- C6861528
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 440mΩ@10V,16A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 460W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 260nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.5nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用先进TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和鉴定，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 适用于标准电平栅极驱动
- 雪崩耐受性强
- 适用于最高额定温度达175°C的高散热要求环境
应用领域
- 12V电机、灯具和螺线管负载
- 高性能脉冲宽度调制（PWM）应用
- 高性能汽车电源系统