APTM100UM65SCAVG
1个N沟道 耐压:1kV 电流:145A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTM100UM65SCAVG
- 商品编号
- C6861564
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 145A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.25kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.068uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 功率MOS 7个MOSFET
- 低导通电阻RDSon
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- 碳化硅并联肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向电压VF具有正温度系数
- 开尔文源极,便于驱动
- 开尔文漏极,用于电压监测
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- M5功率连接器
- M3功率连接器
- 高度集成
- 采用氮化铝(AlN)基板,提升MOSFET热性能
应用领域
-焊接转换器-开关电源-不间断电源-电机控制
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