商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 495A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.36uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 40nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的导通和开关损耗，以及APT专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 功率MOS V型MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 具备雪崩能量额定值
- 非常坚固耐用
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- M5功率连接器
- 高集成度
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 开关模式电源
- 功率因数校正
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