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APT19M120J

1个N沟道耐压:1.2kV 电流:19A

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT19M120J
商品编号: C6861530
商品封装: SOT-227B-4
包装方式: 管装
商品毛重: 43.536克(g)

商品参数

商品概述

Power MOS 8TM是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。其采用专有平面条纹设计,具备出色的可靠性和可制造性。通过低输入电容和超低Crss“米勒”电容,实现了低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制转换速率,从而降低电磁干扰(EMI),实现可靠的并联,即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。高雪崩能量能力提高了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。

商品特性

快速开关,低电磁干扰/射频干扰(EMI/RFI)
低导通电阻RDS(on)
超低Crss,增强抗噪能力
低栅极电荷
具备雪崩能量额定值
符合RoHS标准

应用领域

功率因数校正(PFC)及其他升压转换器
降压转换器
双开关正激(不对称桥)
单开关正激
反激
逆变器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	1.2kV
	连续漏极电流(Id)	19A
	导通电阻(RDS(on))	530mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	545W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	300nC@10V
	输入电容(Ciss)	9.67nF
	反向传输电容(Crss)	115pF
	工作温度	-55℃~+150℃