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APT28M120B2
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:29A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT28M120B2
- 商品编号
- C6861532
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.166667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.135kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 9.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 715pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
Power MOS 8TM 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。专有的平面条纹设计具有出色的可靠性和可制造性。低输入电容和超低 Crss“米勒”电容实现了低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于控制开关期间的转换速率,即使在非常高的频率下进行开关操作,也能实现低电磁干扰 (EMI) 和可靠的并联。高雪崩能量能力提高了反激、升压、正激等电路的可靠性。
商品特性
- 快速开关,低 EMI/RFI
- 低 RDS(on)
- 超低 Crss,提高抗噪性
- 低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- PFC 及其他升压转换器
- 降压转换器
- 双开关正激(不对称桥)
- 单开关正激
- 反激式
- 逆变器