商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 129A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.272kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.116uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 31.1nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
Power MOS 7° 是新一代低损耗、高压 N 沟道增强型功率 MOSFET。Power MOS 7° 通过显著降低 RDS(ON) 和 Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7° 结合了更低的导通损耗和开关损耗，以及先进功率技术公司（APT）专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 功率MOS 7 FREDFETs
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速本征反向二极管
- 雪崩能量额定值
- 高耐用性
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
- 高集成度
- 氮化铝(AlN)基板,提高热性能
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制