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APTM100UM60FAG

1个N沟道耐压:1kV 电流:129A

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APTM100UM60FAG
商品编号: C6861562
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

Power MOS 7° 是新一代低损耗、高压 N 沟道增强型功率 MOSFET。Power MOS 7° 通过显著降低 RDS(ON) 和 Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7° 结合了更低的导通损耗和开关损耗，以及先进功率技术公司（APT）专利金属栅极结构固有的极快开关速度。

商品特性

功率MOS 7 FREDFETs
低导通电阻(RDSon)
低输入电容和米勒电容
低栅极电荷
快速本征反向二极管
雪崩能量额定值
高耐用性
开尔文源极,便于驱动
极低杂散电感
对称设计
M5电源连接器
高集成度
氮化铝(AlN)基板,提高热性能

应用领域

-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	1kV
	连续漏极电流(Id)	129A
	导通电阻(RDS(on))	70mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	2.272kW
	阈值电压(Vgs(th))	3V
	栅极电荷量(Qg)	1.116uC@10V
	输入电容(Ciss)	31.1nF
	工作温度	-40℃~+150℃