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2N7002
1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- 2N7002
- 商品编号
- C727149
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 沟槽功率高压MOSFET技术
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿度敏感度等级1级
- 可应要求添加后缀“-HF”提供无卤产品
- 无铅涂层/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准。详见订购信息）