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SI2305
1个P沟道 耐压:12V 电流:4.1A
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- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@1.8V,2A
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- SI2305
- 商品编号
- C727153
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF@4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@4V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管功率MOSFET
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- 直流-直流转换器