AO3407
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.1A
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- AO3407
- 商品编号
- C727158
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
AO3407采用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(on)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
