SSP80R850S
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
超结MOS场效应晶体管(SSMOS-FET)是新一代高压MOSFET系列,采用先进的电荷平衡机制,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。超结场效应晶体管(SJ-FET)适用于各种开关模式下的AC/DC电源转换,以实现更高的效率。
商品特性
- 多外延工艺超结场效应晶体管(SJ-FET)
- 结温(TJ)为150℃时耐压850V
- 典型导通电阻RDS(on) = 0.8Ω(TO-220F封装)
- 超低栅极电荷(典型Qg = 9.5nC)
- 100%经过雪崩测试
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