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SSP65R120S2
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
- 多外延工艺SJ-FET
- 700V @TJ = 150 °C
- 典型 \overlineRDS (on) = 0.1Ω
- 超低栅极电荷(典型 Qg = 57nC)
- 100%雪崩测试
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