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SSW60R190SFD
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 品牌名称
- 上海超致
- 商品型号
- SSW60R190SFD
- 商品编号
- C718950
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 6.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.505nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
- SJ-FET 是新一代高压 MOSFET 家族产品,采用先进的电荷平衡机制,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。-这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的 dv/dt 速率和更高的雪崩能量。-SJ-FET 适用于各种 AC/DC 开关模式电源转换,以实现更高的效率。
商品特性
- 多外延工艺 SJ-FET
- 快速恢复体二极管
- 极低的反向恢复电荷
- 650V（TJ = 150°C）
- 典型导通电阻 RDS(on) = 0.175Ω
- 超低栅极电荷（典型 Qg = 36.5nC）
- 100% 雪崩测试
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