TK090Z65Z,S1F
1个N沟道 耐压:650V 电流:30A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK090Z65Z,S1F
- 商品编号
- C6553700
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.78nF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：背光照明、电源管理功能、DC-DC转换器
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.075Ω (典型值)
- 具有较低电容的高速开关特性
- 增强模式:Vth = 3 至 4 V (VDS = 10 V, ID = 1.27 mA)
应用领域
- 开关电源