- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TK12E80W,S1X
1个N沟道 耐压:800V 电流:11.5A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK12E80W,S1X
- 商品编号
- C6553715
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 165W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在将RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.38 Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 3.0至4.0 V(VDS = 10 V,ID = 0.57 mA)
应用领域
- 开关稳压器
- TK14E65W5,S1X
- TK14G65W5,RQ
- TK15S04N1L,LQ
- TK170V65Z,LQ
- TK17V65W,LQ
- TK1K0A60F,S4X
- TK1R4S04PB,LXHQ
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- ESQT-130-02-G-Q-630
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