TK12E80W,S1X
1个N沟道 耐压:800V 电流:11.5A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK12E80W,S1X
- 商品编号
- C6553715
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V,5.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 165W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF@300V |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在将RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试
- 高转换效率
- 低RDS(ON)——将导通状态损耗降至最低
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC - Q101标准，具备高可靠性
应用领域
- 笔记本电脑电池电源管理
- 负载开关
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC - DC转换器