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TK49N65W5,S1F
1个N沟道 耐压:650V 电流:49.2A
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- 描述
- 特性：快速反向恢复时间：trr = 145 ns（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.051 Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 3至4.5 V（VDS = 10 V，ID = 2.5 mA）。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK49N65W5,S1F
- 商品编号
- C6553751
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 185nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF |
商品特性
- 快速反向恢复时间:trr = 145 ns(典型值)
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.051 Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 3 至 4.5 V(VDS = 10 V,ID = 2.5 mA)
应用领域
-开关稳压器