TK6Q65W,S1Q
1个N沟道 耐压:650V 电流:5.8A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK6Q65W,S1Q
- 商品编号
- C6553780
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.89 Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 2.5至3.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.18 mA)
应用领域
- 开关稳压器
- TK6R7P06PL,RQ(S2
- TK9A65W,S5X
- ESQT-130-03-L-Q-310
- ESQT-113-02-G-D-425
- TLW-128-06-G-D
- ESQT-130-03-L-Q-345
- ESQT-113-02-G-D-520
- TLW-129-05-G-S
- ESQT-130-03-L-Q-370
- ESQT-113-02-G-D-567
- TLW-130-06-F-D
- ESQT-130-03-M-Q-345
- ESQT-113-02-G-D-620
- TLW-131-05-T-D
- ESQT-113-02-L-D-533
- ESQT-130-03-S-Q-348
- TL-N10ME1-M1J 0.3M
- TLW-132-06-T-S
- ESQT-113-02-L-D-550
- TLW-134-05-G-D
- TL-N10ME2-5M