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TK1R5R04PB,LXGQ
1个N沟道 耐压:40V 电流:160A
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.25 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：ILSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 3.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用：汽车。 电机驱动器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK1R5R04PB,LXGQ
- 商品编号
- C6553739
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 205W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于： 电源管理功能 DC - DC转换器
- 背光灯
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.25 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 40V)
- 增强型:Vth = 2.0 至 3.0 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)
应用领域
- 汽车行业
- 电机驱动器
- 开关稳压器
- DC-DC 转换器