TK1R5R04PB,LXGQ
1个N沟道 耐压:40V 电流:160A
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- 描述
- 特性:AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.25 mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低泄漏电流:ILSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 3.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用:汽车。 电机驱动器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK1R5R04PB,LXGQ
- 商品编号
- C6553739
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V,80A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 205W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF@10V |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于: 电源管理功能 DC - DC转换器
- 背光灯
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻RDS(ON),可将功率损耗降至最低
- 低栅极电荷QG,可将开关损耗降至最低
- 无铅涂层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC - Q101标准,具备PPAP能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 电源管理功能-DC-DC转换器-背光灯
