TK2K2A60F,S4X
1个N沟道 耐压:600V 电流:3.5A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK2K2A60F,S4X
- 商品编号
- C6553745
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF |
商品概述
氮化镓具有极高的电子迁移率和低温度系数，可实现极低的 RDS(on)，而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的 QG 和零 Qrr。最终结果是，该器件既能处理需要极高开关频率和短导通时间的任务，也能应对导通损耗占主导的任务。
商品特性
- 栅极开关易于控制
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.82Ω(典型值)
- 增强模式:Vth = 2 至 4 V(VDS = 10 V,ID = 0.35 mA)
应用领域
- 开关电源