TK110P10PL,RQ
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK110P10PL,RQ
- 商品编号
- C6553704
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF |
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小:QSW = 9.3 nC(典型值)
- 输出电荷小:Qoss = 32 nC(典型值)
- 漏源导通电阻低:RDS(ON) = 8.9 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 漏电流低:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)
- 增强型:Vth = 1.5 至 2.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.3 mA)
应用领域
-高效直流-直流转换器-开关稳压器-电机驱动器