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DMN14M8UFDF-7
1个N沟道 耐压:12V 电流:14.7A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN14M8UFDF-7
- 商品编号
- C6540213
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.246nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用N沟道DMOS工艺制造的N沟道增强型MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。该MOSFET具有低rDS(ON)特性，且具备高达2kV的ESD保护能力。
商品特性
- 0.6mm厚度——适用于薄型应用
- 4mm2的PCB占位面积
- 低栅极阈值电压
- 低导通电阻
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能