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DMNH6042SPDQ-13实物图
  • DMNH6042SPDQ-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMNH6042SPDQ-13

1个N沟道 耐压:60V 电流:5.7A 电流:24A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMNH6042SPDQ-13
商品编号
C6540255
商品封装
PowerDI5060-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5.7A;24A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)8.8nC@10V
输入电容(Ciss)584pF
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在将导通电阻RDS(ON)降至最低,同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。

商品特性

  • 额定温度达+175°C — 适用于高环境温度环境
  • 100%非钳位感性开关 — 确保终端应用更可靠、更耐用
  • 低导通电阻RDS(ON) — 最大限度降低功率损耗
  • 低栅极电荷QG — 最大限度降低开关损耗
  • 完全无铅且符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件
  • 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,在通过IATF 16949认证的工厂生产

应用领域

-发动机管理系统-车身控制电子设备-直流-直流转换器

数据手册PDF