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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.826nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)——将导通状态损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 100%非钳位电感开关,生产过程中进行测试——确保终端应用更可靠、更耐用
- 栅极具备静电放电(ESD)保护
- 无铅表面处理;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC-DC转换器