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DMTH10H025LK3Q-13实物图
  • DMTH10H025LK3Q-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH10H025LK3Q-13

1个N沟道 耐压:100V 电流:51.7A

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描述
此MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准,有PPAP支持,适用于:电源管理功能、DC-DC转换器、背光。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH10H025LK3Q-13
商品编号
C6540309
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)51.7A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@10V
耗散功率(Pd)100W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)21nC
输入电容(Ciss)1.477nF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)263pF

商品特性

  • 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
  • 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
  • 低导通电阻RDS(ON),可将功率损耗降至最低
  • 低栅极电荷QG,可将开关损耗降至最低
  • 无铅涂层,符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,为“绿色”器件
  • 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC - Q101标准,具备PPAP能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产。

应用领域

-电源管理功能-DC-DC转换器-背光灯

数据手册PDF