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DMTH10H025LK3Q-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:51.7A
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- 描述
- 此MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，有PPAP支持，适用于：电源管理功能、DC-DC转换器、背光。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H025LK3Q-13
- 商品编号
- C6540309
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V,51.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.477nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 263pF |
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