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DMN32D0LFB4-7B
1个N沟道 耐压:30V 电流:440mA
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN32D0LFB4-7B
- 商品编号
- C6540237
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 440mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 44.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
-N沟道MOSFET-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出漏电流-超小表面贴装封装-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-负载开关