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DMN4030LK3Q-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:9.4A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN4030LK3Q-13
- 商品编号
- C6540242
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 604pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 无铅表面处理;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- DMN4030LK3Q适用于需要特定变更控制的汽车应用;该器件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
-背光照明-直流-直流转换器-电源管理功能