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DMN3013LDG-13
2个N沟道 耐压:30V 电流:15A 电流:9.5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3013LDG-13
- 商品编号
- C6540230
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A；9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.3mΩ@8V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.16W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代MOSFET的设计旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
应用领域
- 负载开关