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DMN3061LCA3-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:4.6A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3061LCA3-7
- 商品编号
- C6540232
- 商品封装
- X4-DSN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@8V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1.12W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 126pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
SI2302ADS-T1是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景。
商品特性
- 20V/4.5A，VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 25mΩ（典型值）
- 20V/2.5A，VGS = 2.5V时，RDS(ON) = 55mΩ（典型值）
- 20V/2.0A，VGS = 1.8V时，RDS(ON) = 80mΩ（典型值）
- 为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3L封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- LCD显示器逆变器