温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN3061LCA3-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:4.6A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3061LCA3-7
- 商品编号
- C6540232
- 商品封装
- X4-DSN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.12W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 126pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET专为减少手持和移动应用中的占位面积而设计。它可以用极小的占位面积替代许多小信号MOSFET。
商品特性
-低Qg和Qgd-小占位面积-低外形,高度仅0.20mm-完全无铅,完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护-手持和移动应用