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NCE2321A
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
- 描述
- 适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- NCE2321A
- 商品编号
- C6533557
- 商品封装
- SOT23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0372克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 645pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
8013是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度先进沟槽技术制造,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于作为负载开关,或用于大多数同步降压转换器应用中的脉宽调制(PWM)和栅极电荷。
商品特性
- -30V / -5.6A,VGS = -10V时,RDS(ON) = 37mΩ(典型值)
- -30V / -4.3A,VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 52mΩ(典型值)
- 专为极低的导通电阻RDS(ON)而设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3L封装设计
- P沟道
应用领域
- 高频负载点同步
- 用于移动电脑(MB)/笔记本电脑(NB)/超便携个人电脑(UMPC)/视频图形阵列(VGA)的降压转换器
- DC/DC转换器
- 负载开关
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