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MOT9186T
1个N沟道 耐压:200V 电流:100A
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- 描述
- 特性：使用MOT先进的双沟槽技术。 低导通电阻（RDS(on)≤11.5mΩ）。 低栅极电荷。 低反向传输电容。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。应用：电池管理。 电机控制和驱动
- 品牌名称
- MOT(仁懋)
- 商品型号
- MOT9186T
- 商品编号
- C6533580
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 328W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 2.3nF |
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