温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MOT5130T
耐压:120V 电流:211A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 耐压:120V 电流:211A N型 场效应管
- 品牌名称
- MOT(仁懋)
- 商品型号
- MOT5130T
- 商品编号
- C6533575
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.894924克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 211A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 157nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
ALD110814/ALD110914是高精度单片四/双增强型N沟道MOSFET，采用ALD成熟的EPAD® CMOS技术在工厂进行匹配。这些器件适用于低电压、小信号应用。 ALD110814/ALD110914 MOSFET在设计和制造上具有出色的器件电气特性匹配性。由于这些器件集成在同一单片芯片上，它们还具有出色的温度系数跟踪特性。每个器件作为电路元件用途广泛，是众多模拟应用中实用的设计组件。它们是电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器应用的基本构建模块。 ALD110814/ALD110914器件的设计旨在实现最小失调电压和差分热响应，适用于+1.5V至+10V系统中的开关和放大应用，这些应用需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。 ALD110814/ALD110914适用于需要非常高电流增益（β）的精密应用，如电流镜和电流源。场效应晶体管的高输入阻抗和高直流电流增益使得通过控制栅极的电流损耗极低。直流电流增益受栅极输入泄漏电流限制，室温下该电流规定为30pA。
商品特性
- 采用意法半导体(MOT)先进的双沟槽技术
- 低导通电阻(RDS(on) ≤ 3.2mΩ)
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
应用领域
- 电池管理
- 电机控制
- 同步整流
- 开关应用