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SI2302ADS-T1-JSM
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- 适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SI2302ADS-T1-JSM
- 商品编号
- C6533558
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 578pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 20V/4.5A,VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 25mΩ(典型值)
- 20V/2.5A,VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 55mΩ(典型值)
- 20V/2.0A,VGS = 1.8V时,RDS(ON) = 80mΩ(典型值)
- 为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3L封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- LCD显示器逆变器