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OSG55R140HF
增强型N沟道功率MOSFET
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- 描述
- GreenMOS®高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。GreenMOS®通用系列针对极致开关性能进行了优化，以最大限度地降低开关损耗
- 商品型号
- OSG55R140HF
- 商品编号
- C708891
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 151W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS通用系列针对极致开关性能进行了优化，以最大限度地降低开关损耗。它专为高功率密度应用量身定制，以满足最高效率标准。
商品特性
- 低RDS(ON)和品质因数(FOM)
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
应用领域
- 电脑电源
- LED照明
- 电信电源
- 服务器电源
- 电动汽车充电器
- 太阳能/不间断电源(UPS)