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OSG65R360DTF
OSG65R360DTF
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- 商品型号
- OSG65R360DTF
- 商品编号
- C708898
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS通用系列针对极致开关性能进行了优化，以最大限度地降低开关损耗。它专为高功率密度应用量身定制，以满足最高效率标准。
商品特性
- 低RDS(on)和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
应用领域
- 电脑电源
- LED照明
- 电信电源
- 服务器电源
- 电动汽车充电器
- 太阳能/不间断电源（UPS）