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OSG65R900DTF
增强型N沟道功率MOSFET
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- 描述
- GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。GreenMOS通用系列针对极致开关性能进行了优化，以最大限度地降低开关损耗
- 商品型号
- OSG65R900DTF
- 商品编号
- C708900
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.514克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WSR80N06采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 低RDS(ON)和品质因数(FOM)
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
应用领域
-电脑电源-LED照明-电信电源-服务器电源-电动汽车充电器-太阳能/不间断电源(UPS)
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