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OSG65R380DEF
增强型N沟道功率MOSFET
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- 描述
- GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，可实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。它旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。GreenMOS E系列针对其开关特性进行了优化，以在电磁干扰（EMI）和效率之间实现平衡
- 商品型号
- OSG65R380DEF
- 商品编号
- C708899
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SL420NPD将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)），以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
应用领域
- MB/VGA内核电压
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器