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OSG65R290FEF
增强型N沟道功率MOSFET
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- 描述
- OSG65R290xEF采用先进的GreenMOS™技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件适用于有源功率因数校正和开关模式电源应用。
- 商品型号
- OSG65R290FEF
- 商品编号
- C708897
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
-SJ-FET是新一代高压MOSFET系列,采用先进的电荷平衡机制,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。-这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。-SJ-FET适用于各种开关模式下的AC/DC电源转换,以实现更高的效率。
商品特性
- 多外延工艺SJ-FET
- 700V @TJ = 150 ℃
- 典型RDS（on）（上划线） = 0.22Ω
- 超低栅极电荷（典型Qg = 28nC）
- 100%雪崩测试