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APT12057B2LLG实物图
  • APT12057B2LLG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

APT12057B2LLG

1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:22A

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商品型号
APT12057B2LLG
商品编号
C6506786
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
9.133333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)22A
导通电阻(RDS(on))570mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)690W
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)290nC@10V
输入电容(Ciss)6.2nF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源用DC-AC转换器和电机控制。

商品特性

  • 更低的输入电容
  • 更低的米勒电容
  • 更低的栅极电荷 Qg
  • 更高的功率耗散
  • 更易于驱动
  • 采用流行的 T-MAXTM 或 TO-264 封装

应用领域

  • 高效开关式DC/DC转换器
  • 开关电源
  • 不间断电源用DC-AC转换器
  • 电机控制

数据手册PDF