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场效应管(MOSFET)
APTM20SKM08TG
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此图展示了型号为 APTM20SKM08TG 的引脚布局
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此图展示了型号为 APTM20SKM08TG 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
APTM20SKM08TG
1个N沟道 耐压:200V 电流:208A
品牌名称
MICROCHIP(美国微芯)
商品型号
APTM20SKM08TG
商品编号
C6506921
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
208A
导通电阻(RDS(on))
-
属性
参数值
耗散功率(Pd)
781W
阈值电压(Vgs(th))
-
栅极电荷量(Qg)
280nC@10V
输入电容(Ciss)
14.4nF@25V
工作温度
-40℃~+150℃@(Tj)
数据手册PDF
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