APTM120U10SCAVG
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:116A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTM120U10SCAVG
- 商品编号
- C6506917
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 116A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.29kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28.9nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 功率MOS 7个MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 高耐用性
- 碳化硅(SiC)并联肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性与温度无关
- 正向电压(VF)具有正温度系数
- 开尔文源极便于驱动
- 开尔文漏极用于电压监测
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- M5功率连接器
- M3功率连接器
- 高度集成
- 采用氮化铝(AlN)基板以改善MOSFET热性能
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制
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