APT21M100J
1个N沟道 耐压:1kV 电流:21A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT21M100J
- 商品编号
- C6506819
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 462W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 260nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于基站应用的170 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为2300 MHz至2400 MHz。
商品特性
- 快速开关,低 EMI/RFI
- 低导通电阻 RDS(on)
- 超低 Crss,提高抗噪能力
- 低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 功率因数校正 (PFC) 及其他升压转换器
- 降压转换器
- 双开关正激(不对称桥)
- 单开关正激
- 反激式
- 逆变器