APT50M75JLLU3
1个N沟道 耐压:500V 电流:51A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT50M75JLLU3
- 商品编号
- C6506857
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 290W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.59nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CPC3909是一款N沟道耗尽型场效应晶体管（FET），有SOT - 223封装（CPC3909Z）和SOT - 89封装（CPC3909C）两种。两者均采用专有的第三代垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）工艺，能在经济的硅栅工艺中实现高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺可生产出高度可靠的器件，尤其适用于电信、安防和电源等复杂应用环境。 CPC3909Z和CPC3909C的典型导通电阻为4.5Ω，漏源电压为400V。与所有MOS器件一样，该FET结构可防止热失控和热致二次击穿。
商品特性
- Power MOS 7® 功率MOSFET
- 低导通电阻RDSon
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速本征反向二极管
- 雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- ISOTOP® 封装(SOT-227)
- 极低杂散电感
- 高度集成
应用领域
-交流和直流电机控制-开关模式电源