APT58M50JU2
1个N沟道 耐压:500V 电流:58A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT58M50JU2
- 商品编号
- C6506863
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 543W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 340nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.8nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
AOW12N65和AOWF12N65采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件具有低 RDS(on)、Ciss 和 Crss，并具备有保证的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- Power MOS 8TM 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 高耐用性
- ISOTOP 封装(SOT - 227)
- 极低杂散电感
- 高集成度
应用领域
-交流和直流电机控制-开关电源-功率因数校正-制动开关