商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 19.25A | |
| 耗散功率(Pd) | 2kW | |
| 工作温度 | - |
商品概述
基于先进耐用技术(ART),这款2000 W LDMOS射频功率晶体管专为覆盖工业、科学和医疗(ISM)、广播和通信等广泛应用而设计。该无匹配晶体管的频率范围为1 MHz至450 MHz。
商品特性
- 高击穿电压支持E类工作,最高可达VDS = 53 V
- 最高可承受VDS = 65 V
- 在30 V至65 V范围内进行特性表征,以支持广泛的应用
- 集成双面ESD保护,支持C类工作并可完全关断晶体管
- 出色的耐用性,无器件性能退化
- 高效率
- 优异的热稳定性
- 专为宽带工作设计
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 等离子体发生器
- 磁共振成像(MRI)系统
- 粒子加速器
- 广播
- 调频(FM)广播
- 甚高频(VHF)电视
- 通信
- 非蜂窝通信
- 超高频(UHF)雷达