商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 19.25A | |
| 耗散功率(Pd) | 2kW | |
| 工作温度 | - |
商品概述
Power MOS 8TM 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。采用专有平面条纹设计，具备出色的可靠性和可制造性。通过低输入电容和超低 Crss“米勒”电容实现低开关损耗。多晶硅栅极结构固有的栅极电阻和电容有助于控制开关期间的转换速率，从而实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。高雪崩能量能力提高了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。
商品特性
- 高击穿电压支持E类工作,最高可达VDS = 53 V
- 最高可承受VDS = 65 V
- 在30 V至65 V范围内进行特性表征,以支持广泛的应用
- 集成双面ESD保护,支持C类工作并可完全关断晶体管
- 出色的耐用性,无器件性能退化
- 高效率
- 优异的热稳定性
- 专为宽带工作设计
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 等离子体发生器
- 磁共振成像(MRI)系统
- 粒子加速器
- 广播
- 调频(FM)广播
- 甚高频(VHF)电视
- 通信
- 非蜂窝通信
- 超高频(UHF)雷达